Гаджет изобрели ученые из новосибирского Института физики полупроводников имени Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук. Новая флеш-карта работает в два-три раза быстрее, чем те, что есть на рынке. Кроме того, этот носитель может гораздо дольше сохранять данные. При изобретении флеш-карты будущего был использовался мультиграфен, представляющий собой плоскость графита. Толщина материала – всего один атом углерода. Специалисты уверены, что это позволит осуществить прорыв в нанотехнологиях и электронике.

«Флеш-память с использованием мультиграфена по быстродействию и времени хранения информации может превосходить аналоги, основанные на других материалах», – отмечается в статье, опубликованной в издании СО РАН «Наука в Сибири». «Зажатый» между туннельным и блокирующим оксидами, мультиграфен, по словам физиков, является запоминающей средой для хранения электрозаряда, куда он скидывается и долго хранится. Важной чертой девайса служит его работа выхода для электронов, которая достигает пять электронвольт.

«Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд», – сообщил старший научный сотрудник Института физики полупроводников СО РАН Юрий Новиков. О масштабном производстве таких флеш-накопителей сибирские физики пока не думают. Ведутся лишь фундаментальные исследования и работа с опытными образцами. По словам специалистов, для производства устройств в России понадобится место, оборудованное современными технологиями.